Модульный учебный комплекс "Физические основы электроники" МУК-ФОЭ2

Работы выполняемые на комплексе МУК-ФОЭ
Методы электрических измерений. Вольтамперные характеристики и температурные зависимости в диапазоне температур
30-100 С параметров диодов, стабилитронов и стабисторов
Применение диодов. Предусматривается возможность сборки и анализа схемы параметрического стабилизатора на стабилитронах
Вольтамперные характеристики биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером.
Предусматривается возможность измерения входных и выходных характеристик биполярных германиевых и кремниевых
транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером
Малосигнальные параметры и усилительные свойства биполярных транзисторов. Предусматривается возможность
измерения h-параметров биполярных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером, а так же исследование
собираемого на них усилителя. Измерения проводятся на частоте 1000Гц
Динамические свойства биполярных транзисторов. Предусматривается возможность измерения импульсных характеристик
биполярных транзисторов в схемах с ОБ и ОЭ и измерение коэффициентов передачи тока a и b
Характеристика динистора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик динистора при
различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения динистора
Характеристика тиристора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик тиристора при
различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения тиристора
Характеристика симистора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик симистора при
различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения симистора
Характеристика оптосимистора. Предусматривается возможность измерения вольтамперных характеристик оптосимистора при
различных токах управления и наблюдения на осциллографе переходного процесса включения и выключения оптосимистора
Полевой транзистор с управляющим р-n переходом. Предусматривается возможность измерения выходных характеристик
полевого транзистора с управляющим р-n переходом, а так же исследование собираемого на нём усилителя
МДП транзистор. Предусматривается возможность измерения выходных характеристик полевого МДП-транзистора, а так же
исследование собираемого на нём усилителя
Логические элементы. Предусматривается возможность исследования логических элементов 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ на базе КМОП
или ТТЛ